ОбщийАбитуриентамСтудентамВыпускникамДополнительное образованиеАспирантура и докторантураБиблиотекаСМИ Карта сайтаПоискПочта
Навигация
Анонсы

Все анонсы »

СМИ о нас

Архив »

Наши юбиляры
РГПУ им. А.И. ГерценаОбщийНаукаНаучные школы и подразделенияНаучно-исследовательские институты НИИ физикиЛаборатория физики неупорядоченных полупроводников

ОТДЕЛ ФИЗИКИ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ И НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СИСТЕМ

Лаборатория физики неупорядоченных полупроводников

Контактная информация:
тел./ факс: +7 (812) 315-5396
Адрес: 191186, С.-Петербург, наб. р. Мойки, 48, корп. 2, ауд.359.
Часы работы: пн-пт с 10.00 до 18.00

 

Заведующий лабораторией: доктор физ.-мат. наук, академик РАО, Заслуженный деятель науки РФ, профессор Геннадий Алексеевич Бордовский.

Научные исследования посвящены физике неупорядоченных полупроводников. Развил научное направление «Полупроводники с позиционной неупорядоченностью решетки». Синтезировал и провел комплексное исследование ряда новых перспективных материалов. Опубликовано более 300 научных работ по тематике лаборатории, в том числе две монографии. Является председателем ряда докторских советов. Первый заместитель председателя НМС по физике Минобрнауки РФ.

 

Основные направления работы лаборатории физики неупорядоченных полупроводников связаны с исследованиями:

  • механизмов оптического поглощения и переноса заряда в наноструктурированных металлорганических полимерных системах;
  • диэлектрических, фотоэлектрических и электретных свойств высокоомных веществ методом диэлектрической спектроскопии (в том числе на инфранизких частотах) и термоактивационного анализа;
  • фазовых превращений в электронных подсистемах неупорядоченных полупроводников (стеклообразные материалы, аморфные пленки, наноструктуры, поверхность кристаллов).

 

Профессор П. П. Серегин и аспирант М. Ю. Кожокарь проводят исследования халькогенидных стеклообразных полупроводников методом рентгенфлюоресцентного анализа

 

Тематика исследований, выполнявшихся в текущем году:

  • Исследования сверхтонких взаимодействий в полупроводниках и сверхпроводниках.

Основные результаты, полученные в текущем году:

  • Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии с материнскими изотопами 119mTe и 119Sb, находящимися в состоянии радиоактивного равновесия, в одном эксперименте получена информация о месте локализации и валентном состоянии дочерних атомов 119mSn, образующихся из материнских атомов 119Sb и 119mTe в катионных и анионных узлах халькогенидов свинца

  • На основе сравнения рассчитанных и экспериментальных параметров ядерного квадрупольного взаимодействия в узлах кристаллических решеток сверхпроводящих металлоксидов меди YBa2Cu3O7 и La2–xSrxCuO4 показано, что эффективные заряды всех атомов решеток сверхпроводящих керамик соответствуют стандартным степеням их окисления за исключением атомов цепочечного и планарного кислорода в решетке YBa2Cu3O7 и атомов планарного кислорода в решетке La2–xSrxCuO4, пониженный заряд которых интерпретируется как результат локализации в соответствующих подрешетках дырки.

Практическое использование результатов:

Полученные результаты имеют значение для разработки теории переноса носителей в легированных структурно неупорядоченных и стеклообразных полупроводниках, а также для создания технологии получения материалов с заданным комплексом свойств. Результаты исследования используются в процессе подготовки магистров наук.

Основные (наиболее значимые) публикации:

  1. Е. И. Теруков, А. В. Марченко, П. П. Серегин, Н. Н. Жуков Структура мессбауэровских спектров примесных атомов 119mSn в халькогенидах свинца в условиях радиоактивного равновесия изотопов 119mTe/119Sb. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 6. 560–564.
  2. E. I. Terukov, A. V. Marchenko, P. P. Seregin, and N. N. Zhukov On the Structure of the Mossbauer Spectra of 119mSn Impurity Atoms in Lead Chalcogenides under Conditions of the Radioactive Equilibrium of 119mTe/119Sb Isotopes // Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 6, pp. 708–712.
  3. Е.И. Теруков, А.В. Марченко, П.П. Серегин, В.С. Киселев, К.Б. Шахович. Параметры ядерного квадрупольного взаимодействия и пространственное распределение электронных дефектов в решетках YBa2Cu3O7 и La2 – x SrxCuO4. Физика твердого тела. 2018. Т. 60. Вып. 10. С. 1874 – 1881.
  4. E.I. Terukov, A.V. Marchenko, P.P. Seregin, V.S. Kiselev, K.B. Shakhovich. Parameters of Nuclear Quadrupole Interaction and Spatial Distribution of Electronic Defects in YBa2Cu3O7 and La2 – xSrxCuO4 Lattices. Physics of the Solid State, 2018, Vol. 60, No. 10, pp. 1908–1915
Последнее изменение: 8 февраля 2019 г. в 10:10:10
Автор: Демидов Евгений Владимирович
Основные сведения | Структура | Управление | Наука | Образование | Деятельность | Инновации | Как нас найти | Работа в университете

Сведения об образовательной организации

Cведения о доходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера руководителя и членов его семьи (информация размещена в соответствии с Постановлением Правительства от 13.03.2013 № 208)

Сведения о среднемесячной заработной плате руководителя, его заместителей и главного бухгалтера (информация размещена в соответствии с Постановлением Правительства от 28.12.2016 № 1521)

 

 

 

ВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХ

 

РУМЦ по обучению инвалидов и лиц с ОВЗРУМЦ по обучению инвалидов и лиц с ОВЗ

 

 
Это интересно
Образовательный центр Сириус
 
Новости

Архив »

Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена © 2019 Связь с администраторомСвязь с администратором