ОбщийАбитуриентамСтудентамВыпускникамДополнительное образованиеАспирантура и докторантураБиблиотекаСМИ Карта сайтаПоискПочта
Навигация
Анонсы

Все анонсы »

СМИ о нас
15 сентября 2021

Министерство науки и высшего образования РФ: «Университеты готовы развивать науку и экономику регионов»

13 сентября 2021

Журнал «Студия Антре»: Танцующая семья

Архив »

РГПУ им. А.И. ГерценаОбщийСтруктураИнституты Институт физикиКафедрыКафедра физической электроникиО кафедре

О кафедре

Адрес для корреспонденции: 191186, г. Санкт-Петербург, наб. Мойки, 48, РГПУ им. А.И.Герцена,
факультет физики, кафедра физической электроники

Координаты: факультет физики, кабинет заведующего: ауд. № 361, лаборатории: 48, 362, 366-368.
Телефон для справок: +7 (812) 3144885, доб 2077,   E-mail: phys-el@herzen.spb.ru

Заведующий кафедрой физической электроники

 

Кафедра физической электроники РГПУ им. А.И. Герцена является единственной кафедрой такого профиля и с таким названием среди кафедр других педагогических университетов Российской Федерации. Основное направление учебно-методической деятельности кафедры – «физика и электроника для нефизических специальностей университета». Сотрудники кафедры осуществляют преподавание учебных курсов физики, электро- и радиотехники, электроники и микросхемотехники, вычислительной физики, физических основ и методов нанотехнологий, современных наукоёмких технологий и др. на всех естественнонаучных факультетах: физики, математики, химии, биологии, географии, факультете информационных технологий и др.

Среди общих научно-исследовательских задач кафедры традиционно выделяется основное направление – электронные и оптические свойства конденсированного состояния вещества. В настоящее время на кафедре работают 8 докторов наук, из них 7 профессоров физико-математических или педагогических наук.

К инновационным дисциплинам, преподаваемым на кафедре, в первую очередь относятся дисциплины по общему направлению «Современные наукоемкие технологии». Эти дисциплины реализуются на базе лаборатории высокотехнологичных зондовых микроскопов NanoEducator, лаборатории физики поверхности и наноструктур и других лабораториях кафедры.

Кафедра организует и поддерживает научно-образовательный проект для учащихся и учителей Санкт-Петербурга и Ленинградской области – «Современные достижения науки и техники», результаты проекта представляются на ежегодных конференциях. Цель проекта – создание условий для совместного научно- и учебно-исследовательского творчества учащихся, учителей физики и преподавателей факультета физики РГПУ при решении проблем преподавания в школе достижений современной физики.

 
Заведующий кафедрой физической электроники
 

Kolobov A V В 2018 году кафедру возглавил доктор физ.- мат. наук, профессор Александр Владимирович Колобов.
А.В. Колобов начал свою научную деятельность в 1979 в ФТИ им. Иоффе а лаборатории профессора Б.Т. Коломийца после окончания кафедры оптоэлектроники ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина). В разные периоды своей работы стажировался и работал в Кембриджском университете, Высшей школе индустриальной физики и химии Парижа, Левенском католическом университете, Университете Монпелье. С 1994 года работал в Национальном институте передовой индустриальной науки и технологии в Цукубе, Япония; последние 10 лет в должности главного научного сотрудника (prime senior researcher).

В 1991 году получил Kapitza Fellowship Award Лондонского Королевского общества, в 2002 году был удостоен премии Stanford Ovshinsky Award for excellence in amorphous chalcogenides, а в 2012 году получил звание «Почетный профессор» Московского энергетического института. С момента основания в 2013 году А.В. Колобов является председателем международного отборочного комитета премии Ovshinsky Lectureship Award, член международного программного комитете ряда международных конференций, рецензент ряда международных журналов, включая Science, Nature Materials, Physical Review Letters и др.

Научные интересы профессора А.В. Колобова включают аморфные и стеклообразные полупроводники, фазопеременные материалы, оптическая и электронная память на фазопеременных материалах, двумерные полупроводники, использование синхротронного излучения для анализа структуры материалов, расчет свойств материалов из первых принципов. А. В. Колобов является автором более 250 научных трудов, опубликованных в ведущих международных журналах, в том числе трех монографий.

e-mail: akolobov@herzen.spb.ru

Основные публикации

Монографии и сборники

  1. A.V. Kolobov (ed.), Photo-induced Metastability in Amorphous Semiconductors, 412p., Wiley-VCH, 2003
  2. A.V. Kolobov & J. Tominaga, Chalgogenides: Metastability and Phase-change phenomena, 284p., Springer, 2012
  3. A.V. Kolobov & J. Tominaga, Two-dimensional Transition-metal Dichalcogenides, 538p, Springer, 2016
  4. A.V. Kolobov (Guest editor), Festschrift in honour of Boris. T. Kolomiets, Physica Status Solidi (b), 246 (8), 2009
  5. А.V. Kolobov (Guest editor), Festschrift in honour of Stanford. R. Ovshinsky, Physica Status Solidi (b),  249(1), 201
  6. D. Darbold, S.N. Taraskin, A.V. Kolobov (Guest editors), Festschrift in honour of Stephen R. Elliott, Physica Status Solidi (b), 250 (5) 2013

Оригинальные статьи

  1. A.V. Kolobov and O. V. Konstantinov. Urbach rule in the configuration coordinate model of amorphous semiconductors. Philos. Mag. B, 40 (1979) 475–481
  2. В.Л. Аверьянов, А.В. Колобов, Б.Т. Коломиец, В.М. Любин. Термооптические переходы при фотоструктурных превращениях в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Письма ЖЭТФ, 30 (1979) 584–587
  3. A.V. Kolobov, B. T. Kolomiets, O. V. Konstantinov, and V. M. Lyubin. A model of photostructural changes in chalcogenide vitreous semiconductors. 1. theoretical considerations. J. Non-Cryst. Solids, 45 (1981) 335–341-
  4. Г.Е. Бедельбаева, А.В. Колобов. О механизме фотодиффузии цинка в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. ФТТ, 32 (1990) 2141–2143-
  5. С.А. Гуревич, А.В. Колобов, В.М. Любин. Применение маски As2S3-органический фоторезист для реактивного травления полупроводников АIIIВV, Письма ЖТФ, 18 (1992) 85–90-
  6. А.V. Kolobov. On the origin of p-type conductivity in amorphous chalcogenides. J. Non-Cryst. Solids, 198 (1996) 728–731-
  7. А.V. Kolobov, M. Kondo, H. Oyanagi, R. Durny, A. Matsuda, and K. Tanaka. Experimental evidence for negative correlation energy and valence alternation in amorphous selenium. Phys. Rev. B, 56 (1997) 485–488-
  8. А.V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Tanaka, and K. Tanaka. Structural study of amorphous selenium by in situ EXAFS: Observation of photoinduced bond alternation. Phys. Rev. B, 55 (1997) 726-734-
  9. A.V. Kolobov, M. Kondo, H. Oyanagi, A. Matsuda, and K. Tanaka. Negative correlation energy and valence alternation in amorphous selenium: An in situ optically induced ESR study. Phys. Rev. B, 58 (1998)12004-12010-
  10. V.V. Poborchii, A.V. Kolobov, J. Caro, V.V. Zhuravlev, and K. Tanaka. Dynamics of single selenium chains confined in one-dimensional nanochannels of AlPO4-5: Temperature dependencies of the first-and second-order raman spectra. Phys. Rev. Lett., 82 (1999)1955–1958-
  11. A.V. Kolobov. Raman scattering from Ge nanostructures grown on Si substrates: Power and limitations. J. Appl. Phys., 87 (2000) 2926–2930-
  12. A.I. Frenkel, A.V. Kolobov, I. Robinson, J. Cross, Y. Maeda, and C. Bouldin. Direct separation of short range order in intermixed nanocrystalline and amorphous phases. Phys. Rev. Lett., 89 (2002) 285503-
  13. A.V. Kolobov, P. Fons, A. Frenkel, A. Ankudinov, J. Tominaga, and T. Uruga. Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media. Nature Mater., 3 (2004) 703–708-
  14. A. V. Kolobov, J. Haines, A. Pradel, M. Ribes, P. Fons, J. Tominaga, Y. Katayama, T. Hammouda, and T. Uruga. Pressure-induced site-selective disordering of Ge2Sb2Te5: A new insight into phase-change optical recording. Phys. Rev. Lett., 97 (2006) 035701  
  15. M. Krbal, A. V. Kolobov, J. Haines, P. Fons, C. Levelut, R. L. Parc, M. Hanfland, J. Tominaga, A. Pradel, and M. Ribes. Initial structure memory of pressure-induced changes in the phase-change memory alloy Ge2Sb2Te5. Phys. Rev. Lett., 103 (2009)115502  
  16. R. E. Simpson, M. Krbal, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga, T. Uruga, and H. Tanida. Toward the ultimate limit of phase change in Ge2Sb2Te5. Nano. Lett., 10 (2010) 414–419  
  17. A. V. Kolobov, M. Krbal, P. Fons, J. Tominaga, and T. Uruga. Distortion-triggered loss of long-range order in solids with bonding energy hierarchy. Nature Chem., 3 (2011) 311–316  
  18. R. E. Simpson, P. Fons, A. V. Kolobov, T. Fukaya, M. Krbal, T. Yagi, and J. Tominaga. Interfacial Phase-Change Memory. Nature Nanotech., 6 (2011) 501–505-
  19. J. Tominaga, Y. Saito, K. Mitrofanov, N. Inoue, P. Fons, A.V. Kolobov, H. Nakaura, N. Miyata, A magnetoresistance induced by a nonzero Berry phase in GeTe/Sb2Te3 chalcogenide superlattices, Adv. Functional Mater. 27 (2017) 1702243
Последнее изменение: 17 сентября 2020 г. в 16:14:56
Автор: Тюканов Алексей Станиславович
Основные сведения | Структура | Управление | Наука | Образование | Деятельность | Инновации | СМИ | Как нас найти | Работа в университете

Сведения об образовательной организации

Cведения о доходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера руководителя и членов его семьи (информация размещена в соответствии с Приказом Минтруда России от 30.01.2015 № 51н)

Сведения о среднемесячной заработной плате руководителя, его заместителей и главного бухгалтера (информация размещена в соответствии с Постановлением Правительства от 28.12.2016 № 1521)

 

 

ВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХ

 

РУМЦ по обучению инвалидов и лиц с ОВЗРУМЦ по обучению инвалидов и лиц с ОВЗ

 

 
 
 
 
 
 
 
 
Это интересно

   

Онлайн курсы Герценовского университета
Образовательный центр Сириус
 
Новости

Архив »

Политика конфиденциальности
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена © 2021
Связь с администраторомСвязь с администратором